三星閃存芯片首次進入3D晶體管時代
時間：2025-10-27
來源：電子技術應用
導語：10月23日消息，自從Intel首次在22nm工藝節點引入Finfet晶體管之后，邏輯工藝正式進入3D時代，現在三星也要在閃存芯片上首發3D晶體管技術了。
10月23日消息，自從Intel首次在22nm工藝節點引入Finfet晶體管之后，邏輯工藝正式進入3D時代，現在三星也要在閃存芯片上首發3D晶體管技術了。
FinFET是一種3D結構的晶體管，其結構類似魚鰭Fin，進而得名鰭式晶體管，相比傳統的2D平面晶體管優點很多，Intel率先在22nm節點上使用，臺積電三星在14/16nm節點跟進，如今是先進工藝的基礎結構了。
存儲芯片因為結構不同，因此多年來還是傳統2D晶體管結構，日前在SEDEX 2025會議上，三星DS設備部門技術長Song Jae-hyuk發表了主題演講，提到要想實現客戶預期的性能和能效，需要在單位面積內堆疊更多的晶體管，3D FinFET就是創新技術的核心之一。
三星這番表態意味著將在業界首次在NAND閃存芯片中使用3D晶體管技術，進一步大幅提升閃存的存儲密度，提高性能。
閃存用上3D晶體管之后，三星提到了諸多好處，包括信號傳輸速度提升，功耗更低，尺寸更小等等。
不過三星這番表態還是技術上的，目前還沒有確定哪款閃存會用上3D晶體管技術，商業化還要等。
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