三(san)(san)星(xing)(xing)Galaxy S22系列今年2月份發布(bu)，全(quan)球銷(xiao)量尚(shang)可，但(dan)是(shi)口碑(bei)與前幾代相比(bi)大(da)幅下降，主要還是(shi)Exynos 2200芯片(pian)表(biao)現差(cha)勁，如(ru)今三(san)(san)星(xing)(xing)意識到問題(ti)的嚴重性(xing)，近半年來一直在想補救措施。
據報道，三星電子已經任命總裁兼閃存開發部門負責人Song Jae-hyuk為半導體研發(fa)中心的新負(fu)責人。按三星的計劃，希(xi)望在三年內做出一(yi)款領(ling)先全球的芯片，在2025年達到(dao)移動端芯片最(zui)高(gao)水平。
隨(sui)后(hou)三星任命內(nei)存制造技(ji)術中心(xin)副總裁Kim Hong-shik領導代工(gong)技(ji)術創(chuang)新團隊。通過改組，三星調動儲存半導體專家來領導代工(gong)業務的核心(xin)部門。
除了內部高層(ceng)改革，三星(xing)可能(neng)(neng)還要加入收(shou)購ARM的(de)戰爭，甚至不排除和英特爾共同接(jie)管ARM業務的(de)可能(neng)(neng)。此前三星(xing)負責人(ren)李在镕已經與(yu)Intel CEO帕(pa)特·基(ji)辛格會面，尋求合(he)作的(de)可能(neng)(neng)性(xing)。
據韓國(guo)媒體(ti)報(bao)道，三星(xing)計劃在未來五(wu)年投資3600億美元(約合23977億元人民幣)，希望在半導體(ti)、生物醫藥與通(tong)訊設備(bei)等領域取得突破。此(ci)次芯片代工部(bu)門的(de)重(zhong)組，也是為了(le)改善3nm芯片良率，努(nu)力反超臺積電，為達成未來的(de)目標更進一步。
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